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트랜지스터(r3 Blame)

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1[[분류:전자공학]]
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2[include(틀:전기전자공학)]
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4[목차]
5== 개요 ==
6트랜지스터(Transistor)
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8전하의 흐름을 제어하여 증폭 및 스위칭 역할을 수행하는 [[반도체]] 소자이다. 명칭은 '저항을 변화시킨다'는 의미인 'Transfer Resistor'에서 유래했다. [[진공관]]의 치명적인 단점이었던 부피, 발열, 수명 문제를 일거에 해결하며 현대 전자공학의 시대를 열었다. 오늘날 [[CPU]]와 [[메모리]] 등 거의 모든 [집적 회로]의 핵심 구성 단위이며, 인류 역사상 가장 많이 생산된 인공물 중 하나로 꼽힌다. 디지털 논리 회로의 기본인 0과 1을 구현함으로써 현대 정보화 사회를 가능케 한 20세기 최고의 발명품이다.
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10== 역사 ==
11[[1947년]] [[12월 16일]], [[미국]] [[벨 연구소]]의 [[존 바딘]], [[월터 하우저 브래튼]], [[윌리엄 쇼클리]]에 의해 최초의 점접촉형 트랜지스터가 발명되었다. 이들은 이 공로로 [[1956년]] [[노벨물리학상]]을 수상했다. 이후 [[1950년대]]부터 진공관을 빠르게 대체하며 라디오와 컴퓨터의 소형화를 이끌었다. [[1959년]]에는 [[강대원]] 박사와 마틴 아탈라에 의해 현대 반도체의 주역인 [[MOSFET]]이 개발되었으며, 이는 [[반도체 공정]] 미세화의 기점이 되었다. [[21세기]]에 들어서는 나노미터 단위의 공정 기술을 통해 하나의 칩 안에 수백억 개의 트랜지스터를 집적하는 단계에 이르렀다.